H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix y H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Activo
SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NCJR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,45 $84,97
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
Tensión de alimentación 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Encapsulado FBGA-96 FBGA-96
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Organización de memoria [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Tamaño de memoria — 16 Gbit
Memory Organization — 1G x 16
Velocidad de datos — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Interfaz — Parallel
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Packaging — Tray

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