H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NCJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Actif
SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NCJR-XNC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,45 $84,97
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
Tension d'alimentation 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Boîtier FBGA-96 FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Taille de mémoire — 16 Gbit
Memory Organization — 1G x 16
Débit de données — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Interface — Parallel
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

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