H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-PBC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NBJR-VKC von SK hynix und H5ANAG6NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5ANAG6NBJR-VKC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $15,00 | $6,45 |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Part Number | H5ANAG6NBJR-VKC | — |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16Gb (2GB) | — |
| Speicherorganisation | [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |
| Datenrate | 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (DDR4 standard) | 1.2 V |
| Schnittstelle | DDR4, SSTL-12 | — |
| Gehäuse | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | -40C to +95C (family grade reference) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |