H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-VKC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NBJR-VKC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $15,00 | $6,45 |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Part Number | H5ANAG6NBJR-VKC | — |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16Gb (2GB) | — |
| Organización de memoria | [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (DDR4 standard) | 1.2 V |
| Interfaz | DDR4, SSTL-12 | — |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C (family grade reference) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |