H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NBJR-VKC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $15,00 | $6,45 |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Part Number | H5ANAG6NBJR-VKC | — |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16Gb (2GB) | — |
| Organisation de la mémoire | [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |
| Débit de données | 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (DDR4 standard) | 1.2 V |
| Interface | DDR4, SSTL-12 | — |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C (family grade reference) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |