H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCMR-XNI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCJR-XN von SK hynix und H5ANAG6NCMR-XNI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCJR-XN H5ANAG6NCMR-XNI
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $71,20 $4,95
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 16 Gbit (1G x 16) —
Speicherorganisation 1G x 16 —
Datenrate 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin)
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Gehäuse FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
Package Width 8 mm —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC (Command/Address) Yes —
Write Leveling Yes —
Maximum Standby Current 0.074 A (per Vyrian listing) —
RoHS-Status Compliant —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] —
Speichergröße — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Versorgungsspannung — 1.2 V
Technology — CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM
Power Class — Normal Power
Schnittstelle — Parallel (DDR4)
Product Status — Active
Application Domain — Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics
Memory Format — DRAM
Speed Bin Family — UH/VK/WM/XN
VPP Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL Level]

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