H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCMR-XNI 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCJR-XN 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCMR-XNI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NCJR-XN | H5ANAG6NCMR-XNI |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $71.20 | $4.95 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gbit (1G x 16) | — |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| 패키지 | FBGA-96 (96-ball) | FBGA-96 |
| Package Width | 8 mm | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A (per Vyrian listing) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM |
| Power Class | — | Normal Power |
| 인터페이스 | — | Parallel (DDR4) |
| Product Status | — | Active |
| Application Domain | — | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics |
| Memory Format | — | DRAM |
| Speed Bin Family | — | UH/VK/WM/XN |
| VPP Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |