H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCMR-XNI 比較
詳細な並列比較: H5ANAG6NCJR-XN メーカー: SK hynix および H5ANAG6NCMR-XNI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5ANAG6NCJR-XN | H5ANAG6NCMR-XNI |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $71.20 | $4.95 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gbit (1G x 16) | — |
| メモリ構成 | 1G x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| パッケージ | FBGA-96 (96-ball) | FBGA-96 |
| Package Width | 8 mm | — |
| 実装タイプ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A (per Vyrian listing) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] | — |
| メモリサイズ | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM |
| Power Class | — | Normal Power |
| インターフェース | — | Parallel (DDR4) |
| Product Status | — | Active |
| Application Domain | — | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics |
| Memory Format | — | DRAM |
| Speed Bin Family | — | UH/VK/WM/XN |
| VPP Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |