H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG8NBJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NAMR-UHC von SK hynix und H5ANAG8NBJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NBJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,15 $8,60
Manufacturer SK Hynix —
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Speicherorganisation 2G x 8 2G x 8
Datenrate DDR4-2400 (2400 MT/s) —
Versorgungsspannung 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Gehäuse FBGA-78 FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS-Status Compliant (lead-free FBGA package) Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Datenblätter & Ressourcen

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