H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG8NBJR-VKC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NAMR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG8NBJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NBJR-VKC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.15 $8.60
Manufacturer SK Hynix —
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
메모리 구성 2G x 8 2G x 8
데이터 속도 DDR4-2400 (2400 MT/s) —
공급 전압 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
패키지 FBGA-78 FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS 상태 Compliant (lead-free FBGA package) Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

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