H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NAMR-UHC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,15 $8,60
Manufacturer SK Hynix —
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Organisation de la mémoire 2G x 8 2G x 8
Débit de données DDR4-2400 (2400 MT/s) —
Tension d'alimentation 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Boîtier FBGA-78 FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Statut RoHS Compliant (lead-free FBGA package) Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Fiches techniques et ressources

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