H5ANAG8NBJR-PBC vs H5AN8G8NAFR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NBJR-PBC von SK hynix und H5AN8G8NAFR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NBJR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $31,50 $2,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 8 Gb
Speicherorganisation x8 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate PBC suffix, DDR4-2666 class [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Gehäuse FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Prefetch 8n —
Schnittstellentyp Parallel, SSTL12 —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (typical bin) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes —
Die Revision BJR —
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard quantity] —
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

Datenblätter & Ressourcen

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