H5ANAG8NBJR-PBC vs H5AN8G8NAFR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix et H5AN8G8NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $31,50 $2,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 8 Gb
Organisation de la mémoire x8 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate PBC suffix, DDR4-2666 class [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Boîtier FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Prefetch 8n —
Type d'interface Parallel, SSTL12 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (typical bin) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes —
Die Revision BJR —
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard quantity] —
Tension d'alimentation — 1.2 V
Interface — DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

Fiches techniques et ressources

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