H5ANAG8NBJR-PBC vs H5AN8G8NAFR-PBC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NAFR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-PBC H5ANAG8NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM x8, FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM x8, FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-PBC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG8NBJR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 DRAM DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $31.50 $2.20
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 8 Gb
메모리 구성 x8 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate PBC suffix, DDR4-2666 class [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
패키지 FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Prefetch 8n —
인터페이스 유형 Parallel, SSTL12 —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (typical bin) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes —
Die Revision BJR —
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard quantity] —
공급 전압 — 1.2 V
인터페이스 — DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

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