H5ANAG8NBJR-PBC vs H5ANAG8NBJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NBJR-PBC von SK hynix und H5ANAG8NBJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NBJR-PBC H5ANAG8NBJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $31,50 $8,60
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
Speicherorganisation x8 2G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate PBC suffix, DDR4-2666 class —
Gehäuse FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Prefetch 8n —
Schnittstellentyp Parallel, SSTL12 —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
CAS Latency (typical bin) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes —
Die Revision BJR —
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard quantity] —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Versorgungsspannung — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Datenblätter & Ressourcen

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