H5ANAG8NBJR-PBC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-PBC H5ANAG8NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $31,50 $8,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
Organisation de la mémoire x8 2G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate PBC suffix, DDR4-2666 class —
Boîtier FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Prefetch 8n —
Type d'interface Parallel, SSTL12 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
CAS Latency (typical bin) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes —
Die Revision BJR —
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard quantity] —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Tension d'alimentation — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Fiches techniques et ressources

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