H5ANAG8NBJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-XNC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NBJR-RDC von SK hynix und H5AN8G8NCJR-XNC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NBJR-RDC H5AN8G8NCJR-XNC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,55 $30,69
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Speicherorganisation 2G x 8 1 Gb x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Schnittstelle SSTL12 DDR4 (8-bit data interface)
Speed Grade (suffix R) DDR4-2666 class —
Gehäuse 78-ball FBGA 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) Auto self-refresh
Bank Groups 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) —
Data Strobe DQS with read/write training —
Data Bus Inversion Supported (DBI) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] 0 C to +85 C
RoHS-Status Compliant (lead-free PBGA per family product data) Compliant
Lebenszyklusstatus Active —
Speichergröße — 8 Gbit
Datenrate — 3200 Mbps (DDR4-3200)
Clock Frequency — 1.6 GHz
Versorgungsspannung — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal)
Architecture — Bank-group based DDR4
Precharge — Auto precharge
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Calibration — ZQ calibration, write leveling
Error Handling — CRC function
Reset — Asynchronous reset
Data Mask — Data mask function
Current - Operating — 39 mA
Current - Standby — 30 mA
Lead-Free / Halogen-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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