H5ANAG8NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NBJR-RDC von SK hynix und H5ANAG6NBJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,55 $15,00
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Speicherorganisation 2G x 8 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Schnittstelle SSTL12 DDR4, SSTL-12
Speed Grade (suffix R) DDR4-2666 class —
Gehäuse 78-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) —
Bank Groups 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) —
Data Strobe DQS with read/write training —
Data Bus Inversion Supported (DBI) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +95C (family grade reference)
RoHS-Status Compliant (lead-free PBGA per family product data) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lebenszyklusstatus Active —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
Datenrate — 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
Versorgungsspannung — 1.2 V (DDR4 standard)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

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