H5ANAG8NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NBJR-RDC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría DRAM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,55 $15,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organización de memoria 2G x 8 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Interfaz SSTL12 DDR4, SSTL-12
Speed Grade (suffix R) DDR4-2666 class —
Encapsulado 78-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) —
Bank Groups 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) —
Data Strobe DQS with read/write training —
Data Bus Inversion Supported (DBI) —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +95C (family grade reference)
Estado RoHS Compliant (lead-free PBGA per family product data) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Estado del ciclo de vida Active —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
Velocidad de datos — 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
Tensión de alimentación — 1.2 V (DDR4 standard)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

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