H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NBJR-VKC von SK hynix und H5ANAG8NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,60 $31,50
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit (2 GB)
Speicherorganisation 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Versorgungsspannung 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Betriebstemperatur 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse FBGA-78 FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS-Status Compliant, Lead-Free and Halogen-Free Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
Schnittstellentyp — Parallel, SSTL12
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

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