H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,60 $31,50
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit (2 GB)
Organisation de la mémoire 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Température de fonctionnement 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier FBGA-78 FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Statut RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
Type d'interface — Parallel, SSTL12
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

Fiches techniques et ressources

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