H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix e H5ANAG8NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,60 $31,50
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit (2 GB)
Organização da memória 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Tensão de alimentação 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento FBGA-78 FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Status RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
Tipo de interface — Parallel, SSTL12
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

Fichas técnicas e recursos

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