H5ANAG8NCMR-VKI vs MT40A2G8AG-062E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NCMR-VKI von SK hynix und MT40A2G8AG-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NCMR-VKI MT40A2G8AG-062E
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $9,75
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Datenrate 2666 Mbps per pin —
Technology CMOS, volatile DRAM —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD] —
Package Type [DATA_NEEDED: package] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh (tREFI) [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Product Status Active —
Clocking Differential clock (CK / CK#), fully synchronous —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Density — 16 Gbit
Speicherorganisation — 2G x 8
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
CAS-Latenz — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Gehäuse — 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Die Revision — AG (current generation)

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