H5ANAG8NCMR-VKI vs MT40A2G8AG-062E 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NCMR-VKI 제조: SK hynix 및 MT40A2G8AG-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKI H5ANAG8NCMR-VKI - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x8 | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-VKI - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x8 | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-VKI ✓ 활성
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG8NCMR-VKI MT40A2G8AG-062E
브랜드 SK hynix Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $9.75
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 16 Gb —
Memory Organization x8 —
데이터 속도 2666 Mbps per pin —
Technology CMOS, volatile DRAM —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD] —
Package Type [DATA_NEEDED: package] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh (tREFI) [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Product Status Active —
Clocking Differential clock (CK / CK#), fully synchronous —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Density — 16 Gbit
메모리 구성 — 2G x 8
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
CAS 레이턴시 — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
패키지 — 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Die Revision — AG (current generation)

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