H5CG34MEBDX030N vs H5CG44MEBDX014N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5CG34MEBDX030N von SK hynix und H5CG44MEBDX014N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5CG44MEBDX014N H5CG44MEBDX014N - 16Gb DDR5-4800 SDRAM x4 | SK hynix

H5CG44MEBDX014N - 16Gb DDR5-4800 SDRAM x4 | SK hynix

H5CG44MEBDX014N ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5CG34MEBDX030N H5CG44MEBDX014N
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DDR5 DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,42 $0,00
Manufacturer SK hynix —
Product Type DDR5 SDRAM Component —
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gb
Memory Series H5CG3 series (B-die) —
DRAM Process Node 1b-nanometer-class —
Supply Voltage VDD/VDDQ 1.1 V —
Wordline Boost Supply VPP 1.8 V —
Schnittstelle DDR5 (JEDEC double data rate 5) JEDEC DDR5
Speicherorganisation x8 or x16 configuration [DATA_NEEDED: exact bus width] 4G x4
Data Rate Class [DATA_NEEDED: speed grade per -030 suffix] —
On-Die ECC Yes (DDR5 ODECC) —
Sub-Channel Architecture Dual independent 32/40-bit sub-channels —
Package Type FBGA surface mount —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: commercial/industrial range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ECC Feature On-die ECC, no host overhead —
Typical Application Server RDIMM / LRDIMM components —
Speichertyp — DDR5 SDRAM
Datenrate — 4800 Mbps/pin (DDR5-4800)
Clock Frequency — 2400 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Gehäuse — 78-ball FBGA
Die Generation — 1st-gen DDR5 M-die
Montageart — Surface Mount
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CL at DDR5-4800]
VDDQ Voltage — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme detail]
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Type — [DATA_NEEDED: tape and reel or tray]

Datenblätter & Ressourcen

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