H5CG34MEBDX030N vs H5CG44MEBDX014N 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5CG34MEBDX030N 제조: SK hynix 및 H5CG44MEBDX014N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5CG44MEBDX014N H5CG44MEBDX014N - 16Gb DDR5-4800 SDRAM x4 | SK hynix

H5CG44MEBDX014N - 16Gb DDR5-4800 SDRAM x4 | SK hynix

H5CG44MEBDX014N ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5CG34MEBDX030N H5CG44MEBDX014N
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 DDR5 DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.42 $0.00
Manufacturer SK hynix —
Product Type DDR5 SDRAM Component —
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gb
Memory Series H5CG3 series (B-die) —
DRAM Process Node 1b-nanometer-class —
Supply Voltage VDD/VDDQ 1.1 V —
Wordline Boost Supply VPP 1.8 V —
인터페이스 DDR5 (JEDEC double data rate 5) JEDEC DDR5
메모리 구성 x8 or x16 configuration [DATA_NEEDED: exact bus width] 4G x4
Data Rate Class [DATA_NEEDED: speed grade per -030 suffix] —
On-Die ECC Yes (DDR5 ODECC) —
Sub-Channel Architecture Dual independent 32/40-bit sub-channels —
Package Type FBGA surface mount —
동작 온도 [DATA_NEEDED: commercial/industrial range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ECC Feature On-die ECC, no host overhead —
Typical Application Server RDIMM / LRDIMM components —
메모리 유형 — DDR5 SDRAM
데이터 속도 — 4800 Mbps/pin (DDR5-4800)
Clock Frequency — 2400 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
패키지 — 78-ball FBGA
Die Generation — 1st-gen DDR5 M-die
실장 유형 — Surface Mount
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CL at DDR5-4800]
VDDQ Voltage — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme detail]
RoHS 상태 — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Type — [DATA_NEEDED: tape and reel or tray]

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