H5CG34MEBDX030N vs H5CG44MEBDX014N Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5CG34MEBDX030N por SK hynix e H5CG44MEBDX014N por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5CG44MEBDX014N H5CG44MEBDX014N - 16Gb DDR5-4800 SDRAM x4 | SK hynix

H5CG44MEBDX014N - 16Gb DDR5-4800 SDRAM x4 | SK hynix

H5CG44MEBDX014N ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5CG34MEBDX030N H5CG44MEBDX014N
Marca SK hynix SK hynix
Categoria DDR5 DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,42 $0,00
Manufacturer SK hynix —
Product Type DDR5 SDRAM Component —
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gb
Memory Series H5CG3 series (B-die) —
DRAM Process Node 1b-nanometer-class —
Supply Voltage VDD/VDDQ 1.1 V —
Wordline Boost Supply VPP 1.8 V —
Interface DDR5 (JEDEC double data rate 5) JEDEC DDR5
Organização da memória x8 or x16 configuration [DATA_NEEDED: exact bus width] 4G x4
Data Rate Class [DATA_NEEDED: speed grade per -030 suffix] —
On-Die ECC Yes (DDR5 ODECC) —
Sub-Channel Architecture Dual independent 32/40-bit sub-channels —
Package Type FBGA surface mount —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: commercial/industrial range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ECC Feature On-die ECC, no host overhead —
Typical Application Server RDIMM / LRDIMM components —
Tipo de memória — DDR5 SDRAM
Taxa de dados — 4800 Mbps/pin (DDR5-4800)
Clock Frequency — 2400 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Encapsulamento — 78-ball FBGA
Die Generation — 1st-gen DDR5 M-die
Tipo de montagem — Surface Mount
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CL at DDR5-4800]
VDDQ Voltage — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme detail]
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Type — [DATA_NEEDED: tape and reel or tray]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação