H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63AFR-PBJ Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix und H5TC4G63AFR-PBJ von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBJ
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Obsolete Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $7,50
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speicherorganisation 256M x 16 —
Total Memory Size 4 Gb —
Datenrate DDR3-1600 (PC3L-12800) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35 V
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
CAS-Latenz Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C —
Gehäuse 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball TFBGA
Montageart Surface Mount —
Number of Terminals 96 96
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Speichergröße — 4 Gb (256M x 16)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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