H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63AFR-PBJ Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63AFR-PBI от SK hynix и H5TC4G63AFR-PBJ от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBJ
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $7,50
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Организация памяти 256M x 16 —
Total Memory Size 4 Gb —
Скорость передачи данных DDR3-1600 (PC3L-12800) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
Напряжение питания 1.35 V 1.35 V
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
Задержка CAS Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C —
Корпус 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball TFBGA
Тип монтажа Surface Mount —
Number of Terminals 96 96
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Размер памяти — 4 Gb (256M x 16)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену