H5TC4G63AFR-PBJ vs MT41K256M16RE-125:D Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63AFR-PBJ von SK hynix und MT41K256M16RE-125:D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5TC4G63AFR-PBJ | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,50 | $4,19 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| Gehäuse | 96-ball TFBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Datenrate | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 1600 MT/s |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Betriebstemperatur | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |