H5TC4G63AFR-PBJ vs MT41K256M16RE-125:D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBJ par SK hynix et MT41K256M16RE-125:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63AFR-PBJ | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $4,19 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 1600 MT/s |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |