H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63CFR-H9J Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63MFR-PBA von SK hynix und H5TC4G63CFR-H9J von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63CFR-H9J
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $6,00
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) 1.35V +0.100/-0.067V
Datenrate 1866 Mbps (PC3L-14900) —
Gehäuse 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Number of Banks 8 —
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) —
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) Yes
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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