H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63CFR-H9J 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63MFR-PBA メーカー: SK hynix および H5TC4G63CFR-H9J メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63CFR-H9J
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $6.00
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) 1.35V +0.100/-0.067V
データレート 1866 Mbps (PC3L-14900) —
パッケージ 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Number of Banks 8 —
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) —
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) Yes
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼