H5TC4G63MFR-PBA vs NT5CC256M16DP-DI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63MFR-PBA von SK hynix und NT5CC256M16DP-DI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5TC4G63MFR-PBA | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | VFBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Versorgungsspannung | — | 1.35V |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| CAS-Latenz | — | 11, 12, 13 (programmable) |
| Schnittstelle | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |