H5TQ4G63AFR-H9C vs MT41K256M16LY-107:N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TQ4G63AFR-H9C von SK hynix und MT41K256M16LY-107:N von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TQ4G63AFR-H9C MT41K256M16LY-107:N
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $8,10
Speichertyp DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Versorgungsspannung 1.5 V 1.35 V
Clock Speed (tCK) 0.255 ns —
Gehäuse 96-ball TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Refresh Cycles 8192 —
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade OTHER —
RoHS Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
Montageart Surface Mount —
Datenrate 3.9 Gbps per pin (approx) —
Ball Pitch 0.8 mm —
Speichergröße — 4 Gbit
Datenbusbreite — 16 bit
Maximale Taktfrequenz — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Gehäuse / Bauform — 96-FBGA (7.5x13.5)
Montagestil — Surface Mount
Betriebstemperaturbereich — 0°C to +95°C (Tc)
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

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