H5TQ4G63AFR-H9C vs MT41K256M16LY-107:N Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5TQ4G63AFR-H9C por SK hynix e MT41K256M16LY-107:N por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ Ativo
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5TQ4G63AFR-H9C MT41K256M16LY-107:N
Marca SK hynix Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,50 $8,10
Tipo de memória DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Tensão de alimentação 1.5 V 1.35 V
Clock Speed (tCK) 0.255 ns —
Encapsulamento 96-ball TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Refresh Cycles 8192 —
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade OTHER —
RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Tipo de montagem Surface Mount —
Taxa de dados 3.9 Gbps per pin (approx) —
Ball Pitch 0.8 mm —
Tamanho da memória — 4 Gbit
Largura do barramento de dados — 16 bit
Frequência máxima de clock — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Encapsulamento / Caixa — 96-FBGA (7.5x13.5)
Estilo de montagem — Surface Mount
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +95°C (Tc)
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

Fichas técnicas e recursos

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