H5TQ4G63AFR-H9C vs MT41K256M16LY-107:N 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TQ4G63AFR-H9C 제조: SK hynix 및 MT41K256M16LY-107:N 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TQ4G63AFR-H9C MT41K256M16LY-107:N
브랜드 SK hynix Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $8.10
메모리 유형 DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
공급 전압 1.5 V 1.35 V
Clock Speed (tCK) 0.255 ns —
패키지 96-ball TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Refresh Cycles 8192 —
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade OTHER —
RoHS Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes —
실장 유형 Surface Mount —
데이터 속도 3.9 Gbps per pin (approx) —
Ball Pitch 0.8 mm —
메모리 크기 — 4 Gbit
데이터 버스 폭 — 16 bit
최대 클록 주파수 — 933 MHz
Access Time — 20 ns
패키지 / 케이스 — 96-FBGA (7.5x13.5)
장착 스타일 — Surface Mount
동작 온도 범위 — 0°C to +95°C (Tc)
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

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