IAUA210N10S5N024AUMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUA210N10S5N024AUMA1 von Infineon und ISC015N06NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUA210N10S5N024AUMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 5
Technology MOSFET (Metal Oxide), N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 238 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) -55 C to +175 C
Gehäuse PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern