IAUA210N10S5N024AUMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUA210N10S5N024AUMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUA210N10S5N024AUMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,65 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 5
Technology MOSFET (Metal Oxide), N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 238 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) -55 C to +175 C
Encapsulamento PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

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