IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC120N06S5L015ATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $1,62
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (Tj) -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montageart Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Pin-Anzahl — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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