IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N06S5L015ATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $1,62
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (Tj) -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montagem Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Contagem de pinos — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fichas técnicas e recursos

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