IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC120N06S5L032ATMA1 von Infineon und BSC014N06NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC120N06S5L032ATMA1 BSC014N06NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (60 V) OptiMOS 5
Transistortyp N-Channel, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (T_j) -55C to +150C
Technology OptiMOS 5 Trench OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W

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