IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N06S5L032ATMA1 por Infineon e BSC014N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC120N06S5L032ATMA1 BSC014N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (60 V) OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (T_j) -55C to +150C
Technology OptiMOS 5 Trench OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W

Fichas técnicas e recursos

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