IAUC120N06S5N011ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC120N06S5N011ATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V) —
Pulsed Drain Current (Idm) 310 A (Tj) —
On-Resistance Rds(on) max 1.1 mΩ at Vgs=10 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total value] —
Power Dissipation (Pd) 188 W (Tc=25°C) —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (Tj) -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
Pin-Anzahl — 8
RoHS-Status — Compliant
Packing — Tape & Reel (T&R)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern