IAUC120N06S5N011ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N06S5N011ATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V) —
Pulsed Drain Current (Idm) 310 A (Tj) —
On-Resistance Rds(on) max 1.1 mΩ at Vgs=10 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total value] —
Power Dissipation (Pd) 188 W (Tc=25°C) —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (Tj) -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
Contagem de pinos — 8
Status RoHS — Compliant
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fichas técnicas e recursos

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