IAUC120N06S5N011ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5N011ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V) —
Pulsed Drain Current (Idm) 310 A (Tj) —
On-Resistance Rds(on) max 1.1 mΩ at Vgs=10 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total value] —
Power Dissipation (Pd) 188 W (Tc=25°C) —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (Tj) -55C to +175C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
Nombre de broches — 8
Statut RoHS — Compliant
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fiches techniques et ressources

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