IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC50N08S5L096ATMA1 von Infineon und IAUZ30N08S5N186ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,98 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (automotive)
Gehäuse PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Technology — OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench)
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 41 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

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