IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC50N08S5L096ATMA1 par Infineon et IAUZ30N08S5N186ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (automotive)
Boîtier PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Technology — OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench)
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 41 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

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