IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC50N08S5L096ATMA1 por Infineon e IAUZ30N08S5N186ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (automotive)
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Technology — OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench)
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 41 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Fichas técnicas e recursos

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