IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC60N04S6N031HATMA1 von Infineon und IAUC120N06S5L011ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (Tj) —
Gehäuse PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

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